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dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ve/
dc.contributor.authorVillarreal, Manueles_VE
dc.contributor.authorPirela B., María E.es_VE
dc.contributor.authorVelásquez Velásquez, Anaes_VE
dc.contributor.authorMora, Asiloé J.es_VE
dc.contributor.authorFernández, Braulio J.es_VE
dc.contributor.authorDelgado, Gerzones_VE
dc.date2008-03-27es_VE
dc.date.accessioned2008-03-27T09:00:00Z
dc.date.available2008-03-27T09:00:00Z
dc.date.created2008-03-27es_VE
dc.date.issued2008-03-27T09:00:00Zes_VE
dc.identifier.otherT016300002063/0es_VE
dc.identifier.urihttp://www.saber.ula.ve/handle/123456789/16284
dc.description.abstractSíntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3 Villarreal, Manuel ; Fernández, B.J.; Pirela, María; Velásquez-Velásquez, Ana; Mora, Asiloé J.; Delgado, Gerzon Resumen En este trabajo se presenta la síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3. Las muestras fueron sintetizadas utilizando la técnica de fusión directa. El análisis químico (EDX) permitió establecer las relaciones estequiométricas 2:1:3 para ambos compuestos. El análisis termo-diferencial (ATD) muestra la existencia de una fase única que funde a 765 °C para el Cu2GeSe3 y de una fase principal que funde a 504 °C para el Cu2GeTe3. En este último compuesto también se detecta una fase secundaria a 357 °C, pero con un área de pico menor del 5% del área total. El análisis por difracción de rayos-X indica que ambos compuestos cristalizan en el sistema ortorrómbico con grupo espacial Imm2 y parámetros de celda unidad: a = 11.8616(3) Å, b = 3.9525(1) Å, c = 5.4879(1) Å, V = 257.29(1) Å3 para Cu2GeSe3, y a = 12.6406(6) Å, b = 4.2115(2) Å, c = 5.9261(2) Å, V = 315.48(2) Å3 para Cu2GeTe3. Abstract This work reports the synthesis and characterization of the ternary compounds Cu2GeSe3 and Cu2GeTe3. Both samples were synthesized by using the direct fusion technique. The chemical analysis (EDX) confirmed the 2:1:3 stoichiometric ratio for both compounds. The thermal differential analysis (ATD) showed the existence of a single phase for Cu2GeSe3 that melts at 765 °C, and a principal phase for Cu2GeTe3 that melts at 504 °C. In the last compound, a second transition at 357 °C is also observed but with a peak area of less than 5% of total area, approximately. The X-ray powder diffraction analysis indicated that both compounds crystallize in the orthorhombic space group Imm2, with unit cell parameters: a = 11.8616(3) Å, b = 3.9525(1) Å, c = 5.4879(1) Å, V = 257.29(1) °A3 for Cu2GeSe3, and a = 12.6406(6) Å, b = 4.2115(2) Å, c = 5.9261(2) Å, V= 315.48(2) Å3 for Cu2GeTe3. Artículo publicado en: Materia Condensada. Revista Mexicana de Física 49 Suplemento 3, 198-200 Noviembre 2003.es_VE
dc.format.extent274666es_VE
dc.language.isoeses_VE
dc.publisherSABER ULAes_VE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectSemiconductoreses_VE
dc.subjectAnálisis térmicoes_VE
dc.subjectDifracción de rayos-X en muestras policristalinases_VE
dc.titleSíntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3es_VE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.description.emailmavu@ula.vees_VE
dc.description.emailmpireira@ula.vees_VE
dc.description.emailanita@ula.vees_VE
dc.description.emailasiloe@ula.vees_VE
dc.description.emailbraulio@ula.vees_VE
dc.description.emailgerzon@ula.vees_VE
dc.description.tiponivelNivel monográficoes_VE
dc.subject.centroinvestigacionCentro de Estudios de Semiconductoreses_VE
dc.subject.facultadFacultad de Ciencias.es_VE
dc.subject.keywordsSemiconductorses_VE
dc.subject.keywordsThermal analysises_VE
dc.subject.keywordsX-ray powder diffractiones_VE
dc.subject.laboratorioLaboratorio de Cristalografíaes_VE
dc.subject.tipoArtículoses_VE


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